중국 CXMT, 11.95nm G5 DRAM 양산 개시 — 글로벌 메모리 시장점유율 10% 돌파

중국 메모리 반도체 기업 CXMT(창신메모리)가 2026년 9월 20일 5세대 G5 DRAM 플랫폼의 양산 개시를 발표했다. ASML 금지 장비 없이 자체 쿼드러플 패터닝 기술로 11.95nm 공정을 달성, 삼성전자·SK하이닉스·마이크론이 과점하던 글로벌 메모리 시장에 본격 도전장을 던졌다.

기술 사양

G5 플랫폼은 활성 영역 반피치를 11.95nm까지 낮췄다. 쿼드러플 패터닝으로 제조 단계를 반복해 미세 회로를 구현했으며, 웨이퍼당 다이 생산량은 4세대 플랫폼 대비 50% 이상 증가했다.

제품 출시

G5 기반 LPDDR5X 24Gb 제품 2종이 출시됐다.

• 496볼 패키징: 미드-하이엔드 스마트폰 대상
• 245볼 패키징: 휴대용 소비가전 대상

용량은 이전 세대 대비 50% 향상됐다.

시장 영향

CXMT는 2026년 9월 기준 글로벌 DRAM 시장점유율 10%를 달성했다. AI 가속기와 데이터센터 메모리 수요가 급증하는 시점에, AI 학습·추론 인프라의 핵심 부품인 고대역폭 메모리 공급망 다변화가 가속화되고 있다.

원문: Eastern Herald — CXMT's G5 DRAM Platform Enters Mass Production